AM-ECRP-300 > 제품소개

본문 바로가기
AM-ECRP-300.JPG

AM-ECRP-300

Electron Cyclotron Resonance (ECR) PlasmaAdvanced ECR Plasma System for 300mm Wafer Processing High-density, low-damage plasma solution optimized for next-generation semiconductor fabrication.Application1.드라이 에칭 (Dry Etching)2.표면 개질 / 클리닝3.박막 증착 전처리미세공정 및 저온 처리가 요구되는 3D 구조 반도체, 나노디바이스, 신소재 응용 분야에 적합고효율·고밀도 플라즈마 솔루션을 통해 차세대 반도체 제조 공정의 생산성 향상과 공정 비용 절감 ICP/Capacitive Plasma vs. ECR Plasma 항목 일반 ICP/Capacitive Plasma ECR Plasma 플라즈마 밀도 보통 ~ 높음 매우 높음 웨이퍼 손상 비교적 큼 매우 적음 이온 에너지 제어 제한적 우수 공정 온도 상대적으로 고온 저온 공정 가능 시스템 복잡도 낮음 높음 (자기장, 마이크로파 필요)

본문

Electron Cyclotron Resonance (ECR) Plasma
Advanced ECR Plasma System for 300mm Wafer Processing

High-density, low-damage plasma solution optimized for next-generation semiconductor fabrication.

Application

1.드라이 에칭 (Dry Etching)
2.표면 개질 / 클리닝
3.박막 증착 전처리

미세공정 및 저온 처리가 요구되는 3D 구조 반도체, 나노디바이스, 신소재 응용 분야에 적합

고효율·고밀도 플라즈마 솔루션을 통해 차세대 반도체 제조 공정의 생산성 향상과 공정 비용 절감

ICP/Capacitive Plasma vs. ECR Plasma

항목

일반 ICP/Capacitive Plasma

ECR Plasma

플라즈마 밀도

보통 ~ 높음

매우 높음

웨이퍼 손상

비교적 큼

매우 적음

이온 에너지 제어

제한적

우수

공정 온도

상대적으로 고온

저온 공정 가능

시스템 복잡도

낮음

높음 (자기장, 마이크로파 필요)


댓글목록

등록된 댓글이 없습니다.